پایان نامه حاضر به مطالعه و بررسی مقاومت مغناطیسی تونل زنی در نانو ساختار نامتجانس gaas/ gamnas مبتنی بر نیمرسانای مغناطیسی رقیق در حضور میدان مغناطیسی خارجی و همچنین بایاس اعمالی خارجی به صورت تئوری می پردازد .محاسبات در مدل الکترون تقریبا آزاد (جرم موثر) ودر چهارچوب تئوری ماتریس انتقال در رژیم همدوسی صورت گرفته است

پدیده تونل زنی اسپین در آهن‌ ربای تک ملکولی Mn12 با استفاده از روش محاسبه اینستانتونی مطالعه و از حالت‌ همدوس در پارامتر حقیقی در گروه SU(2) به عنوان تابع اولیه استفاده شده است. برای این آهن‌ ربای تک ملکولی، شکافتگی ترازهای انرژی حاصل شده ( پله های حلقه پسماند مغناطیسی ) مربوط به جمله‌ای در کنش کلاسیکی می‌باشد که از فاز بری نتیجه می‌شود و این جمله باعث تداخل بین مسیرهای تونل‌ زنی (اینستانتون‌ها...

در این پایان نامه، ما ترابرد الکترون درون یک دیود تونل زنی تشدیدی متشکل از چاه کوانتومی از جنس gaas و سدهایی از جنس algaas را مطالعه می کنیم. در قطعات نیمرسانای در مقیاس نانو، اثرات کوانتومی در پدیده های ترابرداهمیت بسیار زیادی پیدا می کنند. صرفنظر از سیستم تحت بررسی، معادله بولتزمان نیمه کلاسیک تقریب مناسبی نمی باشد و یک رهیافت کوانتومی مورد نیاز است. در بین فرمول بندی های کوانتومی توسعه یافته...

در این کار ما به مطالعه خواص ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در یک سه لایه ای مغناطیسی می پردازیم. اتصالات تونلی (mtj) بعلت داشتن ویژگی های منحصر به فرد ازجمله مقاومت مغناطیسی (tmr) بالا مورد توجه قرار گرفته اند. ساختار مورد بررسی به طور خاص fe-mgo-fe می باشد که به واسطه وجودfe بعنوان یک فرومغناطیس شاهد تغییر در انرژی الکتروستاتیکی ساختار باتغییر در حالتهای اسپینی اتم های مجاور بوسیله کوپل شدن ...

در این رساله، با استفاده از تقریب بستگی قوی تک نواری و رهیافت تابع گرین، اثر ناهمواری بر مقاومت مغناطیسی تونل زنی (tmr) در پیوندگاه های fe/mgo/fe محاسبه شد. پدیده ی tmr در اثر تونل زنی اسپین الکترون در پیوندگاه های مغناطیسی تونل زنی مشاهده می شود. این پیوندگاه ها از لایه های فرومغناطیسی که توسط لایه ی نازک عایق از هم جدا شده اند، تشکیل شده است. به دلیل مشاهده ی مقادیر زیاد tmr برای سد بلوری mgo...

باپیشرفتهایاخیردرتکنولوژینانو،توجهزیادیبهترابردکوانتومیازساختارهایفلزعادیونیمرسانایمتصلبهابررساناشدهاست. اینتوجهبهدلیلکاربردهایممکنچنینساختارهایی درقطعاتالکترونیکیمیباشد. قطعاتالکترونیکیمعمولیبراساسشارشبارالکترون-هاطراحیمیشوند،درحالیکهقطعاتاسپینترونیکیبراساسجهتوتعداداسپین هایعبوریطراحیمی شوند. درقطعاتاسپینترونیکیمثلپیوندهایتونلیمغناطیسی،جریانقطبیدهاسپینیزمانیرخمی-دهدکهعدمتوازنیبینحاملهایاسپین...

در این پروژه با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی و فرمول بندی لانداور- بوتیکر (landauer-büttiker )، احتمال ساخت یک قطعه اسپینترونیک ( spintronic) مولکولی متشکل از مولکول پلی استیلن ترانس متصل شده به دو الکترود فرومغناطیس با سطح مقطع محدود، مورد مطالعه قرار-می گیرد روش تابع گرین روش کارآمدی است و محدودیت محاسباتی در ابعاد مختلف را ندارد. همچنین در روش تابع گرین به جای کار با ماتریس هامیلتونی ...

در این مقاله به کمک روش تابع گرین و رهیافت تنگابست، رسانش الکترونی یک نانو حلقه ی پلی استیلنی را در اندازه های متفاوت در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی می کنیم. دو موردی از نانو حلقه را که تعداد پیوندهای یگانه و دوگانه در دو مسیر ممکن الکترون یکسان باشد و نباشد، مورد بررسی قرار می دهیم. نتایج نشان می‌دهد که با افزایش طول نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه ی گاف به صورت نمایی کاهش و تعداد قله ...

در این مقاله با استفاده از رهیافت تابع گرین، یک دیود تونل زنی تشدیدی را شبیه سازی نموده ایم. از نتایج محاسبات بر روی این دیودها می توان در محاسبه جریان تاریک سلول های خورشیدی استفاده نمود. برای این منظور ابتدا هامیلتونی دستگاه را در تقریب تنگابست نوشته و تابع گرین را برای آن محاسبه کردیم. سپس با استفاده از مؤلفه های تابع گرین محاسبه شده، چگالی موضعی حالت ها و چگالی جریان را به دست آوردیم. نتایج...

از زمان کشف پدیده هایی مانند مقاومت مغناطیسی بزرگ و مقاومت مغناطیسی تونل زنی در چند لایه های مغناطیسی، تحقیقات وسیعی بر روی مواد مغناطیسی و لایه های نازک مغناطیسی انجام شده است. تلاش فیزیکدان ها در این زمینه باعث ساختن نانو ساختارها و چند لایه های مغناطیسی و به کار بردن آن ها در فناوری، صنایع حس گرها و ثبت کننده ها شده است. مطالعه ترابرد وابسته به اسپین در نانوساختارها و چند لایه ها به ما در طر...